离子刻蚀Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的损伤机理

摘要：

采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对InGaN/AlGaN、InAsP/InP应变多量子阱和InAsP/InGaAsP应变单量子阱进行了系统研究,光致发光特性分析表明轻度离子刻蚀后量子阱发光强度得到显著增强,导致发光效率增强的物理机理是:干法刻蚀一方面使量子阱表面变粗糙,使出射光逃逸几率增大;另一方面Ar离子隧穿引起的量子阱内部微结构变化则是发光效率提高的主要原因.

关键词： 半导体材料 离子刻蚀 应变多量子阱 光致发光

作者: 吴惠桢 曹萌 劳燕锋 刘成 谢正生 曹春芳

作者单位: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;浙江大学,物理系固体电子材料物理与器件实验室,浙江,杭州,310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050 浙江大学,物理系固体电子材料物理与器件实验室,浙江,杭州,310027

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006年全国功能材料学术年会

会议地点: 敦煌

会议语种:中文

页码: 251-255

在线出版日期: 2006-07-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）