多晶FeS2薄膜电学性能的研究与进展
FeS2薄膜是极具研究价值的光电转换材料,改善光电转换效率是主要研究方向,而进一步阐明电传导规律和机制是探索改善FeS2薄膜光电转换效率有效途径的前提之一.本文概述了FeS2薄膜电学性能的研究进展,分析了硫化制备工艺及掺杂效应对FeS2薄膜电学性能的影响,介绍了晶界势垒模型、跳跃传导模型及晶体点缺陷理论等FeS2薄膜电传导相关机制,讨论了FeS2薄膜存在的问题及发展方向。
FeS2 薄膜 电学性能 光电转换效率 硫化制备工艺 晶界势垒模型
井源源 刘艳辉 孟亮
浙江大学,金属材料研究所,浙江,杭州,310027
国内会议
敦煌
中文
247-250,255
2006-07-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)