P沟和N沟MOS场效应管的辐照研究

摘要：

本文通过对P沟MOS场效应管IRF9530和N沟MOS场效应管IRF540N的X射线和钴源γ射线的辐照对比研究,发现两种场效应管阈电压变化随辐照剂量近似一阶指数衰减关系.产生这种现象的原因是场效应管氧化物中的空间俘获电荷与辐照剂量近似线性变化,对阈值电压变化和辐照剂量有近似线性的改变,而界面态对空间电荷有补偿作用,其对阈值电压的改变有近似与辐照剂量成二次方的关系.

关键词： 场效应管 辐照剂量 阈电压值

作者: 牟维兵 徐曦

作者单位: 中国工程物理研究院电子工程研究所,四川·绵阳,621900

会议类型: 国内会议

会议名称: 第三届全国物理及其应用学术研讨会

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 115-119

在线出版日期: 2006-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）