在ＦＥＡ中使用ＭＯＳＦＥＴ技术

摘要：

该文对以ＭＯＳＦＥＴ（金属氧化物硅场效应薄膜晶体管）技术提高ＦＥＤ（场致发射显示）等器件的ＦＥＡ（场致发射阵列）阴极发射电流的稳定性作了说明，并就对ＭＯＳＦＥＴ技术的改进作了介绍。

关键词： ＭＯＳＦＥＴ ＦＥＤ ＦＥＡ 稳定性 发射电流 金属氧化物 硅 场效应薄膜晶体管

作者: 季旭东

作者单位: 电子集团公司(南京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会真空电子学分会第十二届学术年会

会议地点: 南京

会议语种:中文

页码: 137～142

在线出版日期: 1999-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）