磷酸锆(ZrP)/Nafion1135复合膜的制备及导电性能研究
制备了磷酸锆/Nafion1135复合膜,并进行了表征.SEM结果表明ZrP沉积在Nafion膜表面局部,沉积物形貌与浸泡次数有关.XRD结果证实了复合膜中α-ZrP的形成,但结晶程度较弱.阻抗研究表明,复合膜具有比Nafion1135膜更好的质子导电性,同时复合膜对质子导电性与浸泡次数有关,经过5次浸泡处理的复合膜具有较好的质子导电性能.计算了浸泡5次的复合膜及Nafion1135离子交换膜对H+和VO2+的扩散系数,结果表明,Nafion1135膜中质子的扩散系数DH+=1.24×10-10m2/s,浸泡5次的复合膜中质子扩散系数DH+=1.38×10-10m2/s,复合膜与Nafion1135比较,DH+,有所提高.
磷酸锆 Nafion1135 复合膜 导电性能 扩散系数
桑商斌 黄可龙 李晓刚 王显
中南大学,化学化工学院,长沙,410083
国内会议
上海
中文
90-96
2006-03-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）