会议专题

掺锰对”Bi0.5(Na1-x Agx)0.5”1-yBayTiO3系陶瓷压电和介电性能的影响

利用传统陶瓷工艺制备了MnO2(0~0.4wt%)掺杂”Bi05(Na1-xAgx)0.5”1-yBayTiO3(x=0.06,y=0.06)无铅压电陶瓷,研究了掺杂对该体系陶瓷的结构、压电和介电性能的影响.结果表明,陶瓷的压电常数d33随锰掺杂量增加而减小;适量锰离子的引入可降低介电损耗tgδ,提高机械品质因数Qm.当锰掺杂量达到0.4wt%时,陶瓷的压电性能大幅度降低.锰含量为0.15wt%时该体系陶瓷具有较好的性能:压电常数d33=160pC/N,机电耦合系数kp=34%,kt=52%,介电常数εr=804,机械品质因数Qm=163,介电损耗tgδ=2.0%.

钛酸铋钠 钛酸钡 掺锰 无铅压电陶瓷 介电性能 压电性能

吴浪 肖定全 赁敦敏 朱建国 余萍 廖运文 王孝平

四川大学材料科学与工程学院,成都 610064

国内会议

第十一届全国电介质物理、材料与应用学术会议

成都

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354-357

2005-10-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)