聚吡咯衍生物-氧化钒薄膜阴极材料的结构与阻抗
将吡咯衍生物单体(碘化N,N,N-三甲基-(2-吡咯-1-乙基))进行氧化聚合,合成水溶性聚吡咯衍生物,将该产物与V2O5溶胶混合,进行溶液插层反应,合成聚(N,N,N-三甲基-(2-吡咯-1-乙基))(PTPAI)/V2O5干凝胶复合薄膜.采用XRD和FT-IR对其结构进行分析,运用电化学阻抗谱(EIS)和循环伏安(CV)对其电学性能进行测试.结果表明:聚吡咯衍生物已插入V2O5干凝胶的层间,其面层间距d001从10.7739增大到13.5436nm,FT-IR光谱表明聚吡咯与V2O5层存在着较强的相互关系,阻抗谱研究表明该复合薄膜的其等效电路为R1(Q1”R2W1”),Rs=160.215Ω,Rt=6278.86Ω,CPE=1.73216×10-4F,循环综合性能较好.
氧化钒薄膜 聚吡咯衍生物 阴极材料 交流阻抗
朱泉崓 靳艾平 陈文
武汉理工大学材料科学与工程学院,武汉,430070
国内会议
长沙
中文
1991-1995
2005-10-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）