EB-PVD制备的硅膜性能
本文介绍了使用EB-PVD法制备的Si膜性能,如膜-基结合强度、残余应力、孔隙率等.研究发现,只有当衬底温度在优化温度范围内时,膜-基系统才有优良的抗热震性及膜-基结合强度,硅膜晶体结构为柱状晶.衬底温度过高或过低都不利于膜-基系统性能的提高.但当温度比较高时,硅膜的孔隙率可能下降,却会增加膜-基系统中的残余应力.对硅膜性能影响较大的因素还有衬底表面光洁度等.
电子束物理气相沉积 硅膜 衬底 结合强度 残余应力
韩杰才 周玉锋 张宇民 张剑寒 姚旺 韩媛媛
哈尔滨工业大学,复合材料与结构研究所,哈尔滨,150080
国内会议
长沙
中文
1948-1951
2005-10-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)