化学气相沉积ZnSe生长过程中粉末的控制
本文主要研究CVD过程中粉末产生的机理,并对其加以有效控制的方法.通过多次实验结果对比并结合流体力学、晶体生长、成核机理等理论分析,得出气体流速和沉积温度是影响粉末形成的主要原因.其中,流速对主流气体扩散输运到沉积板的能力有直接的影响,而沉积温度是影响均匀成核与非均匀成核的主要因素.通过对喷嘴及加热系统合理地改进,使流速提高,温场稳定.在改进后的实验中,所得粉末明显减少,做到了对粉末的有效控制,为长时间生长大尺寸ZnSe体材料打下了基础.
化学气相淀积 ZnSe体材料 成核机理 附面层 气体流速 沉积温度 粉末生成
魏乃光 苏小平 黎建明
北京有色金属研究总院,北京国晶辉红外光学有限公司,北京,100088
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1928-1931
2005-10-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）