会议专题

CaF2助剂放电等离子烧结透明AlN陶瓷的微观结构和光学性能

本文采用放电等离子烧结技术,添加质量分数为3%的CaF2作为烧结助剂,制备了透明氮化铝(AlN)陶瓷.样品在烧结温度1800℃,30MPa压力下保温15min,达到了99.5%的相对密度和52.7%的最大透过率.SEM、XRD、TEM和EDX结果表明,烧结体具有很高的致密度、纯度,良好的晶粒形貌和微观晶体结构,晶界和三角晶界处观察不到第二相的存在.CaF2的添加引入液相烧结,促进AlN晶粒的生长和烧结体的致密化,并且与AlN颗粒反应生成的氟化物和Ca-Al-O化合物能够从烧结体中逸出,进一步净化烧结体,是制备透明AlN陶瓷的有效助剂.放电等离子烧结技术具有烧结快速、烧结体致密度高的特点,是制备透明AlN陶瓷的有效方法.

放电等离子烧结 透明AlN陶瓷 透过率 微观结构

熊焰 傅正义 王皓

武汉理工大学,材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070

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2005-10-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)