不同衬底对溅射Pb(Zr0.80Ti0.20)O3薄膜的结构及其性能的影响

摘要：

利用射频磁控溅射法在低阻Si,SiO2/Si以及Pt/Ti/SiO2/Si等不同衬底上制备了Pb(Zr0.8Ti0.2)O3薄膜.利用XRD,SEM等对薄膜的结构性能进行了分析,结果发现不同衬底对溅射制备的PZT薄膜的结构有很大影响.在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备的PZT薄膜经600℃退火1h后,薄膜表面光滑、无裂纹,XRD分析显示PZT薄膜呈完全钙钛矿结构,测试PZT薄膜的电学性能,表明PZT薄膜具有良好的介电性能.

关键词： PZT薄膜 射频磁控溅射 衬底 退火 钙钛矿结构 电学性能

作者: 蒲朝辉 刘洪 吴家刚 朱基亮 肖定全 朱建国

作者单位: 四川大学材料科学与工程学院,成都,610064

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国电介质物理、材料与应用学术会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 485-488

在线出版日期: 2005-10-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）