退火工艺对PLT薄膜结晶性能的影响
用射频磁控溅射法在Si(100)衬底上制备了掺镧钛酸铅(PLT)铁电薄膜.研究了不同退火工艺对PLT薄膜结构的影响.发现在PbO气氛下退火能很好地抑制铅的挥发而得到具有钙钛矿结构的PLT薄膜.随着退火温度的逐渐升高,PLT薄膜的相经历了钙钛矿相-焦绿石相共存→纯钙钛矿相→钙钛矿相-焦绿石相共存的变化.探讨了焦绿石相的结构在铁电薄膜中的成因.发现随着退火温度的逐渐升高,PLT薄膜的晶粒逐渐增大,钙钛矿相质量百分比越高,轴比(c/a)也越大,PLT薄膜的铁电性越强.
掺镧钛酸铅 铁电薄膜 退火工艺 射频磁控溅射法 钙钛矿结构 PLT薄膜
刘洪 蒲朝辉 吴家刚 朱基亮 肖定全 朱建国
四川大学材料科学系,成都,610064
国内会议
成都
中文
477-480
2005-10-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）