利用AAO模板电沉积工艺制备ZnS纳米线

摘要：

以没有去除阻挡层的阳极氧化铝膜作为模板,在溶解有ZnCl2和单质硫的二甲基亚砜溶液中进行直流电沉积,并将电沉积所得的样品在不同气氛下退火.SEM,TEM及拉曼光谱的结果表明,采用上述工艺制备的纳米线长几个微米,直径为30nm左右,为多晶,在N2气氛下退火得到的是立方相ZnS纳米线,空气气氛下退火得到的是六方相ZnO纳米线,由于纳米线的尺寸限制效应及晶格畸变,拉曼谱中的峰位向短波数移动.

关键词： AAO模板 直流电沉积 ZnS纳米线 拉曼光谱

作者: 孙丽 宗瑞隆 周济

作者单位: 清华大学材料科学与工程系,北京,100084

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国电介质物理、材料与应用学术会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 435-437

在线出版日期: 2005-10-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）