非晶态SiO2过渡层上高C轴取向LiNbO3薄膜的PLD生长
利用脉冲激光沉积(PLD)技术在单晶硅衬底的非晶态SiO2过渡层上外延生长了具有优良结晶品质和高度c轴取向性的LiNbO3光波导薄膜.利用X射线衍射、高分辨电镜和原子力显微镜等手段对LiNbO3薄膜的结晶品质和c轴取向性等进行了系统的分析,确定了薄膜c轴外延生长的最佳沉积参数.非晶态SiO2过渡层上的LiNbO3薄膜由尺度约为150×150nm的四方柱状c轴取向的单晶畴紧密排列而成,并且具有陡峭的界面结构.此外,对于LiNbO3薄膜在非晶过渡层上择优取向生长的物理机制和薄膜基底效应进行了初步探讨,提出其生长机制很可能符合光滑晶面上三维岛状成核生长的Volmer模式.
LiNbO3薄膜 c轴取向 光波导薄膜 PLD技术 单晶硅衬底 脉冲激光沉积 外延生长
何军辉 朱骏 毛翔宇 陈小兵 叶志镇
扬州大学物理科学与技术学院,浙江,扬州,225002 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027
国内会议
成都
中文
428-430
2005-10-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）