C轴择优取向AlN薄膜的制备研究

摘要：

采用直流磁控反应溅射法制备AlN薄膜.研究了靶基距、衬底温度和电极材料对AlN薄膜择优取向的影响.用XRD、AFFM表征了AlN薄膜的结构、表面形貌.结果表明衬底温度为300℃、靶基距为3cm,在Pt电极上可沉积高质量的C轴择优取向AlN薄膜.

关键词： AlN薄膜 直流磁控反应溅射法 C轴择优取向 衬底温度 表面形貌

作者: 李位勇 张凯 徐丹丹 陈丽丽 顾豪爽

作者单位: 湖北大学物理学与电子技术学院,武汉,430062

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国电介质物理、材料与应用学术会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 415-417

在线出版日期: 2005-10-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）