稀土Gd3+的掺杂对Sr2CeO4:Eu中Eu3+发光的影响
采用共沉淀方法,合成了Gd3+和Eu3+共掺杂的Sr2CeO4荧光体.当Eu3+浓度较小(掺杂浓度为2%)时,Gd3+离子对Sr2CeO4的蓝带发射及附着在其上面的Eu3+的特征跃迁起猝灭作用;而当Eu3+的浓度较高(掺杂浓度为8%)时,Gd3+离子对Sr2CeO4的蓝带发射及附着在其上面的Eu3+的特征跃迁起敏化作用,尤其是当Gd3+离子的掺杂浓度为3%时,Eu3+的5D0-7F2跃迁发射(615nm)增强为原来的132%.
发光材料 Sr2CeO4荧光体 共沉淀法 共掺杂 蓝带发射
石士考 周济 栗俊敏
清华大学材料科学与工程系新型陶瓷和精细工艺国家重点实验室,北京,100084;河北师范大学化学与材料科学学院,石家庄,050016 清华大学材料科学与工程系新型陶瓷和精细工艺国家重点实验室,北京,100084 河北师范大学化学与材料科学学院,石家庄,050016
国内会议
成都
中文
305-307
2005-10-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)