B位掺杂Bi4Ti3O12的研究

摘要：

制备了不同半径和价数的离子B位掺杂的BTNb,BTV,BTZr,BTHf陶瓷,并且对其性能进行了测量.发现B位掺杂可以显著增加陶瓷的2Pr,同时可以改善抗疲劳性能.研究结果表明掺杂离子半径和价数都对剩余极化有一定影响,此外掺杂离子和氧离子的电子轨道杂化也会影响材料的剩余极化.

关键词： 铁电陶瓷 钛酸铋 B位掺杂 抗疲劳性能 剩余极化

作者: 顾骏 李伟 吕笑梅 朱劲松

作者单位: 南京大学固体微结构国家重点实验室,南京,210093

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国电介质物理、材料与应用学术会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 292-295

在线出版日期: 2005-10-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）