铋层状结构压电材料的掺杂改性研究

摘要：

作者以CaBi4Ti4O15为研究对象,通过对A位选择Nd3+部分替代Bi3+或者Ca2+,以及用V5+和W6+取代部分B位的Ti4+的掺杂改性,研究了不同掺杂元素及掺杂位置对材料结构和性能的影响.结果表明,A位和B位均能通过提高剩余极化和降低矫顽场,来改善陶瓷的压电性能:A位比B位有更高的掺杂固溶量,可获得更好的铁电和压电性能,剩余极化2Pr高达20.4μC/cm,压电常数d33高达20pC/N.

关键词： 铋层状结构 压电材料 CaBi4Ti4O15 掺杂改性 压电性能

作者: 李永祥 杨群保 曾江涛 易志国

作者单位: 中国科学院上海硅酸盐研究所·高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海,200050 中国科学院上海硅酸盐研究所·高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海,200050;中国科学院研究生院,北京,100390

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国电介质物理、材料与应用学术会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 225-229

在线出版日期: 2005-10-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）