BaSnO3陶瓷结构及电性能的研究
以BaCO3,SnO2为原料、微量SiO2,Bi2O3,Sb2O3作助烧剂、Ta2O5作施主,采用传统的固相反应法,制备出了相对密度达97％～99％,平均粒径约为8μm的BaSnO3半导体陶瓷.采用Na2CO3和Mn(NO3)2组合作受主掺杂,可有效地增强BaSnO3陶瓷的晶界效应.结果表明:Na2CO3和Mn(NO3)2复合掺杂,可以使BaSnO3陶瓷的电阻率显著增大,且晶界电阻远远大于晶粒电阻;Mn(NO3)2掺杂为1mol的BaSnO3陶瓷,电阻率达3.3×106Ωcm,晶粒电阻率为4.3Ωcm,经电导激活能测试,估算出其晶界势垒约为0.5eV.
BaSnO3陶瓷 晶界电阻 电性能 固相反应法 半导体陶瓷材料
王正宇 周方桥 陈志雄
广州大学物理与电子工程学院,广州,510405
国内会议
成都
中文
193-196
2005-10-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）