硒铟镓银多晶材料的合成研究
根据Ag2Se-Ga2Se3赝二元相图,对AgGa1-xInxSe2按同成分点配料,通过机械和温度振荡的方法合成出Aga1-xInxSe2多晶材料.并对合成的多晶材料进行了XRD测试,与直接法合成的Aga1-xInxSe2多晶材料进行对比.结果表明,改进工艺后合成的Aga1-xInxSe2多晶材料的图谱与标准PDF卡片相符,表明其是高纯单相的Aga1-xInxSe2多晶材料.用新方法合成的Aga1-xInxSe2多晶材料进行单晶生长,获得了完整的Aga1-xInxSe2单晶体.实验结果表明,机械和温度振荡法是合成高质量Aga1-xInxSe2多晶材料的一种有效方法.
硒铟镓银 多晶材料 机械振荡 温度振荡 单晶生长
朱伟林 朱世富 赵北君 黄毅 刘娟 徐承福 张建军 陈宝军 黎明
四川大学材料科学系,成都,610064
国内会议
成都
中文
190-192
2005-10-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）