稀磁半导体(Ga,Cr)N的第一性原理研究
本文运用原子团模型研究了稀磁半导体GaN掺Cr的局域电子结构和磁性,计算采用基于密度泛函理论的离散变分方法.计算结果表明Cr原子的磁矩随掺杂浓度有明显的变化,变化趋势和实验吻合.在包含两个Cr原子的体系中Cr原子之间是铁磁性耦合,每个Cr原子的磁矩与相同浓度下掺杂一个Cr原子的磁矩相近.对于不同的掺杂浓度,Cr原子与最近邻N原子之间均为反铁磁偶合,Cr原子的3d电子与N原子的2p电子之间有很强的杂化,这和晶体的能带计算方法得到的结果一致.
计算物理学 稀磁半导体 密度泛函理论 原子团模型 离散变分
蔺何 段海明
新疆大学物理系,乌鲁木齐,830046
国内会议
乌鲁木齐
中文
143-147
2005-08-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）