SRAM重离子微束单粒子效应实验研究

摘要：

单粒子效应是指单个带电粒子射入半导体器件,导致器件功能异常的现象.该文介绍了国内首次大规模集成电路--静态随机存取存储器(SRAM)的重离子微束单粒子效应实验研究,建立了大规模集成电路重离子微束单粒子效应实验方法,找到了国产SRAM的单粒子翻转敏感区,分析了单粒子翻转敏感区形成的机理,为器件抗单粒子效应加固设计打下了基础.

关键词： 辐射物理与技术 半导体器件 重离子微束 单粒子效应

作者: 贺朝会 郭红霞 郭刚 李永宏 陈泉 惠宁 苏秀娣 张凤祁 罗尹虹 姚志斌

作者单位: 西安交通大学,西安市咸宁西路28号,710049;西北核技术研究所,西安市69信箱10分箱,710024 西北核技术研究所,西安市69信箱10分箱,710024 中国原子能科学研究院核物理所,北京275信箱10分箱,102413 东北微电子研究所,沈阳市陵园街20号,110032

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国科协2005年学术年会

会议地点: 乌鲁木齐

会议语种:中文

页码: 662-667

在线出版日期: 2005-08-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）