立方相A1<,x>Ga<,1-x>N/GaAs(100)的MOCVD外延生长

摘要：

作者们利用MOCVD生长技术在GaAs(100)衬底上生长了高质量的立方相AlGaN薄膜。通过光致发光(PL)、扫描电镜(SEM)分析了不同NH<,3>流量、不同生长温度对AlGaN外延层的结晶质量和表面形貌的影响。作者们发现相对高的NH<,3>流量和相对高的生长温度可以提高AlGaN外延层的结晶质量。

关键词： MOCVD技术 立方相AIGaN薄膜 外延生长 结晶质量

作者: 冯志宏 杨辉 段俐宏 赵德刚

作者单位: 中国科学院半导体研究所光电子工艺中心

会议类型: 国内会议

会议名称: 第七届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 46～48

在线出版日期: 2000-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）