立方GaN的侧向外延生长

摘要：

该文研究了用MOCVD方法进行立方GaN在SIO<,2>掩盖下图形衬底上的侧向外延生长。GaN外延层的结构特征与条形GaN窗口的取向密切相关。在条形窗口沿<110>晶向时，外延层的截面为倒梯形，侧面为(111)A面；窗口沿<1-10>晶向时的外延层截面为正梯形，侧面为(111)B面。明显观察到了GaN在SIO<,2>掩膜上的侧向生长，并测量了不同生长条件下外延层的侧向和垂直生长速度。

关键词： MOCVD方法 GaN 结构特征 SIO<,2>掩膜

作者: 付羿 段俐宏 杨辉 赵德刚 李顺峰

作者单位: 中国科学院半导体研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第七届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 66～69

在线出版日期: 2000-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）