掺Si对MOCVD生长的GaN单晶膜的黄带发射及生长速率的影响

摘要：

对MOCVD生长GaN:Si薄膜进行了研究，研究表明随SiH<,4>/TMGa流量比增大，GaN:Si单晶膜的电子浓度增大，迁移率下降，X射线双晶衍射峰半高宽增加，同时带边发射强度得到了大大的提高，并报导了随SiH<,4>/TMGa流量比增大，GaN:Si的生长速率降低的现象。研究结果表明，预反应对GaN:Si单晶膜黄带发射影响很大，预反应的减小可以使黄带受到抑制。

关键词： MOCVD 光致发光 生长速率

作者: 李述体 莫春兰 李鹏 王立 熊传兵

作者单位: 南昌大学材料科学研究所(南昌)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 385～389

在线出版日期: 2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）