碳化硅纳米线中的ODD结构的研究

摘要：

本文利用透射电子显微镜(TEM)研究了碳热还原反应生成的立方碳化硅(β-SiC)纳米线,结果表明在碳化硅纳米线中沿”111”生长方向存在大量的一维无序结构(ODD),并与3C结构交替生长.我们通过选区电子衍射图及高分辨照片,对ODD结构进行了分析,发现了两种无序结构,一种为完全无序结构,另一种为小有序体的无序堆垛结构,并分析了这种小有序体的结构.

关键词： 碳化硅纳米线 一维无序结构 高分辨 选区电子衍射 碳热还原反应

作者: 郑坤 韩晓东 张跃飞 张泽 郝雅娟 郭向云

作者单位: 北京工业大学固体微结构研究所,北京,100022 中国科学院山西煤化所,太原,030001

会议类型: 国内会议

会议名称: 第四届全国纳米材料会议

会议地点: 山东烟台

会议语种:中文

页码: 541-545

在线出版日期: 2005-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）