一维SiC纳米线的微结构分析

摘要：

本文利用透射电子显微镜(TEM)对碳热还原反应生成的一维SiC纳米材料的微结构和形貌进行研究和表征,从实验中发现SiC纳米线中含有大量的孪晶、高密度的层错、一维无序等亚结构,以及这些结构在一维方向的交替生长,利用V-L-S生长机理对SiC纳米线的一维生长机制进行了探讨.

关键词： SiC纳米材料 HREM 微结构 碳热还原反应 晶体生长

作者: 张跃飞 韩晓东 郑坤 刘显强 张泽 郝雅娟 郭向云

作者单位: 北京工业大学固体微结构研究所,北京,100022 中国科学院山西煤化所国家煤炭转化重点实验室,太原,030001

会议类型: 国内会议

会议名称: 第四届全国纳米材料会议

会议地点: 山东烟台

会议语种:中文

页码: 535-540

在线出版日期: 2005-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）