模板剂脱除方法对介孔氧化硅薄膜结构的影响

摘要：

以正硅酸乙酯(TEOS)为硅源,十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为模板剂制备有序介孔氧化硅薄膜,考察了分子模板剂脱除方法对介孔氧化硅薄膜微观结构有序性的影响.结果表明:采用500℃煅烧处理可以有效地去除分子模板剂,但对薄膜网络结构的破坏作用比较大,薄膜的有序性变差;而采用异丙醇(IPA)和HCl的混合萃取结合超临界流体干燥工艺能够有效地去除分子模板剂,同时对薄膜网络结构的破坏作用小,薄膜的有序性比较好。

关键词： 分子模板剂 有序介孔 氧化硅薄膜 煅烧处理 超临界萃取

作者: 成慧梅 冯坚 周仲承 王小东 高庆福 张长瑞

作者单位: 国防科技大学机电工程与自动化学院,长沙,410073 国防科技大学航天与材料工程学院CFC重点实验室,长沙,410073

会议类型: 国内会议

会议名称: 第四届全国纳米材料会议

会议地点: 山东烟台

会议语种:中文

页码: 345-349

在线出版日期: 2005-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）