MBE生长940nm应变量子阱半导体激光器研究

摘要：

本文采用高真空分子束外延设备生长InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱半导体材料,对InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱结构进行生长温度、生长时间和Ⅴ-Ⅲ族束流比等关键因素的优化设计,获得了高质量的外延材料.并成功研制出940nm应变量子阱半导体激光器在条宽100μm,腔长800μm时,阈值电流为0.41A,输出功率可达1W.

关键词： MBE 应变量子阱 半导体激光器

作者: 董明礼 曲轶 艾立昆 李银柱 李玉英 袁俊 何江玲

作者单位: 昆明物理研究所,昆明,650223 长春理工大学,高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022 上海微系统与信息系统研究所,上海,200050

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届真空技术应用学术年会

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 104-107

在线出版日期: 2005-04-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）