集成栅极控制的碳纳米管场发射阵列阴极的制造技术

摘要：

本文重点介绍一种带集成栅极的碳纳米管场发射阴极(CNTFEA)的制造工艺.研制了两种类型的栅控CNTFEA.一种是在微孔的底部生长CNT,另一种则是在孔底部预先沉积的M尖上制备CNT发射体.前者的CNT发射体由多根CNT组成,呈锥状,较为一致;后者通常由一根或几根CNT组成.

关键词： 集成栅极控制 碳纳米管 场发射阵列阴极 制造技术

作者: 丁明清 李兴辉 白国栋 张甫权 李含雁 冯进军

作者单位: 北京真空电子技术研究所大功率微波国家重点实验室,北京749信箱41分箱,100016

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届真空技术应用学术年会

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 89-91

在线出版日期: 2005-04-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）