表面开口缺陷深度及其所生漏磁场的关系--磁粉探伤原理之二十九
由磁偶极子理论证明:表面开口缺陷引起的漏磁场H正比于(d/2-kδ),其中d是缺陷深度,而δ为一较小长度,它取决于工件和缺陷横截面的形状与尺寸,k是一个系数,它取决于缺陷侧壁上的磁荷分水岭,从而可以得出结论:当d很小时,H与d间近似为线性关系;而d增大时,它们之间则呈非线性关系.
表面开口缺陷 漏磁场 磁粉探伤 磁偶极子 缺陷深度
仲维畅
南京燃气轮机研究所,南京,210037
国内会议
西安
中文
103-106
2005-10-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)