IC器件在HBM ESD脉冲电压下的介质击穿实验研究

摘要：

在IC器件氧化绝缘层介质击穿物理模型的基础上,讨论了人体带电放电模型(HBMESD)中的波动电压加于氧化层上时的介质击穿.发现了氧化层上的俘获空穴密度临界值随薄膜厚度的变化十分敏感,当厚度由0.010μm减少至0.003μm时,俘获空穴密度临界值由0.100C/cm2减少至0.002C/cm2.相应地,IC器件抗ESD的性能也急剧下降.

关键词： 静电放电 HBM模型 介质击穿 物理模型 氧化绝缘层 俘获空穴密度

作者: 孙可平 苗凤娟

作者单位: 上海海事大学,电磁兼容与静电研究室,上海,200135

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国物理学会静电专业委员会第十二届学术年会

会议地点: 青岛

会议语种:中文

页码: 38-40

在线出版日期: 2005-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）