甘薯细胞水平离子束辐射诱变研究初报
本文用0～100Gy12C5+和0～200Gy4He2+分别照射甘薯品种栗子香的胚性悬浮细胞;用0～100Gy4He2+照射甘薯品种玉丰的胚性细胞团,对甘薯细胞水平离子束辐射诱变进行了初步研究.根据辐射对细胞团生长的影响及其植株再生情况,确定了甘薯胚性悬浮细胞适宜的12C5+和4He2+辐射剂量分别为30～50Gy和70～100Gy;甘薯胚性细胞团适宜的4He2+辐射剂量为50～70Gy.辐照后的培养物经过培养得到一批再生植株,对部分辐照后代的调查结果表明,离子束辐射对玉丰地上部分性状产生了明显的诱变效果,辐射后代在顶叶形、叶形、顶叶色、叶脉色、脉基色、顶端茸毛等性状出现了广泛的变异;而未进行辐射处理的对照性状变异不明显.离子束作为一种新诱变源在甘薯育种上有一定的实用价值.
甘薯 胚性细胞团 离子束照射 突变体
李爱贤 刘树震
山东省农业科学院作物研究所,山东,济南,250100 济南市农业局,山东,济南,250021
国内会议
成都
中文
176-180
2005-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）