非对称型IGBT的低温特性研究

摘要：

研究表明,半导体材料在低温环境下性能可以得到很大改善.功率MOSFET低温下的优异特性已被深入揭示.本文研究了NPT型IGBT在77～300K之间的特性,实验表明,低温下NPT型IGBT的通态压降,开关损耗都有明显下降,关断拖尾现象也得到明显改善,而门槛电压略有上升.在此基础上,分析了其低温特性的物理机制以及在超导领域的潜在应用.

关键词： 低温特性 IGBT 缓冲区 半导体材料

作者: 张玉林 胡高宏 丘明 杨广辉 姚志豪

作者单位: 中国科学院电工研究所,北京,100080 中国科学院研究生院,北京,100039

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国超导学术研讨会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 1012-1016

在线出版日期: 2005-04-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）