高温超导薄膜生长机理初探
(0) 本文在3×10×0.5mm3的LaAlO3(001)基片上,利用直流磁控溅射生长一层厚度约为700nm的非晶态Tl2Ba2CaCu2Ox先驱薄膜.将先驱薄膜与热处理过的Tl2Ba2Ca2Cu3Oy块材(作为Tl源)一起在720～860℃温度下退火.为了研究薄膜的初期成核情况,退火时间一般为5分钟.利用XRD和完全抗磁性测试方法对样品的成相情况进行研究,结果显示,在薄膜生长的初期,较高的退火温度可以获得较大尺寸的初期生长核,但是退火温度达到860℃时,初期成核的晶粒尺寸变小.
高温超导体 超导薄膜 薄膜生长 热处理
赵新杰 季鲁 陈恩 左涛 周铁戈 陈思 阎少林 方兰 左旭
南开大学电子科学系,天津,300071
国内会议
上海
中文
629-634
2005-04-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）