在RABiTS基带上制备Tl-2212超导薄膜
(0) 本文研究了Tl-2212超导薄膜在带有YSZ/CeO2缓冲层和带有CeO2/YSZ/CeO2缓冲层的Ni金属RABiTS基带上的生长情况.基带上的缓冲层是采用PLD方法制备的,Tl-2212薄膜的制备采用了磁控溅射和后热处理两步方法.XRD实验结果表明,Tl-2212薄膜都具有很好的c轴垂直于膜面的织构,并具有双向外延生长特性.在CeO2/YSZ/CeO2/Ni基带上制作的Tl-2212薄膜的Tc达到102.8K,Jc(77K,0T)达到2.6MA/cm2;在YSZ/CeO2/Ni基带上薄膜的Tc可达97.7K,Jc(77K,0T)也可以达到0.45MA/cm2.
超导材料 超导薄膜 薄膜生长 金属基带
季鲁 阎少林 赵新杰 方兰 李永刚 何明
南开大学,电子科学系,天津,300071
国内会议
上海
中文
751-755
2005-04-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）