MgB2超导体的正电子湮没研究

摘要：

本文利用正电子湮没技术(PAT)对不同密度的MgB2样品分别进行了测定,结果发现正电子在MgB2中自由态的湮没时间(本征寿命τ1)和在捕获态的湮没时间(缺陷寿命τ2)比其他高温超导体都明显要高,这反映了MgB2的体电子浓度相对于其它超导体要低,可能归因于MgB2超导材料本身的晶体结构和化学组成,MgB2超导材料的正电子寿命不仅与晶体的结构缺陷,而且与样品的密度或孔隙度有关.

关键词： MgB2超导体 正电子湮没 结构缺陷

作者: 葛永霞 常方高 李涛 路庆凤 李喜贵

作者单位: 河南师范大学物理与信息工程学院,新乡,453007

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国超导学术研讨会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 908-913

在线出版日期: 2005-04-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）