脉冲激光沉积原位生长MgB2薄膜的研究
文章介绍了利用脉冲激光沉积(PLD)方法原位生长MgB2超导薄膜的工作.实验采用两步法的方案:高真空条件下在Al2O3(001)衬底上沉积Mg-B混合物加覆盖Mg层的双层结构,然后将该前驱体在630℃左右的Ar气氛中原位退火,成功制备出了有较好重复性的MgB2超导薄膜,其最高的起始转变温度为36.5K,转变宽度在1K左右.我们认为该方法为进一步研究基于MgB2的多层结构器件提供了一种可行的发展思路.
MgB2薄膜 脉冲激光沉积 原位生长
余增强 马小柏 聂瑞娟 姚丹 王福仁
北京大学物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871
国内会议
上海
中文
888-892
2005-04-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)