MGxB2起始成分对不可逆场和临界电流密度的影响

摘要：

本文用固相反应法成功合成了MgxB2(0.5≤x≤1.3)系列样品,并对其结构,临界电流密度(Jc)和不可逆场(Hirr)进行了研究.实验结果表明,随着x增大晶格常数a逐渐增大,而晶格常数c在x=0.9左右达到最大值.所有x>0.5的样品在零场下的Jc值都在106A/cm2左右.然而在高磁场下,Mg缺位的样品的Jc值要比Mg富足的样品的Jc值大.20K时,Mg0.8B2样品的不可逆场达到最大值5.2T,比MgB2样品要高出0.8T.研究表明,高磁场下Hirr和Jc的增大可能与MgB4纳米粒子的形成有关.

关键词： MgxB2 不可逆场 临界电流密度

作者: 王关生 许高杰 浦其荣 张建武 J.-C. Grivel N.H. Andersen 丁泽军

作者单位: 中国科学院中国科学技术大学物理系,合肥,230026 中国科学院中国科学技术大学物理系,合肥,230026;Materials Research Department, Risoe National Laboratory, 4000 Roskilde, Materials Research Department, Risoe National Laboratory, 4000 Roskilde, Denmark

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国超导学术研讨会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 854-858

在线出版日期: 2005-04-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）