直流磁控反应溅射制作Ta2O5的工艺和电学特性研究

摘要：

在做完底电极的玻璃上,在氩气和氧气的混合气氛中用钽靶直流磁控反应溅射沉积五氧化二钽.用XPS分析了膜的杂质、Ta和O的摩尔比和结合能,并用MIM结构测试了电学性能.随着氩氧比的变化其介电常数在19到68范围内变化,质量好的薄膜(在氧氩比为1:1时获得的薄膜)在0.5MV/cm的电场下其漏电密度小于10nA/cm2,击穿场强高于2MV/cm。

关键词： 五氧化二钽 直流磁控反应溅射 电学特性 金属-绝缘层-金属 电学性能 薄膜

作者: 徐毅 曹兆铿 刘逸忠 肖田 李德杰

作者单位: 广电电子股份有限公司平板显示技术研发中心,200081 清华大学电子工程系,100084

会议类型: 国内会议

会议名称: 上海市真空学会成立20周年暨第九届学术年会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 133-137

在线出版日期: 2004-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）