STM”接触”式测量中的整流效应

摘要：

在利用扫描隧道显微镜(STM)对Ag-TCNQ薄膜进行”接触”式的I-V特性测量中,发现由于接触势垒引起的整流效应.这为有机分子在电子学的应用方面,提供一种新的思路,从而设计新的有机电子器件。

关键词： 扫描隧道显微镜 接触模式 整流效应 TCNQ薄膜

作者: 邱伟民 严学俭 李旭 沈淼 曾志刚 张莉 华中一

作者单位: 复旦大学材料科学系,上海,200433

会议类型: 国内会议

会议名称: 上海市真空学会成立20周年暨第九届学术年会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 87-90

在线出版日期: 2004-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）