硅和锗在红外二维光子晶体中的适用性比较

摘要：

本文为了寻找更好的红外光子晶体材料,对硅和锗材料自身的性质进行了比较,并采用平面波展开法(PWE)计算了两种材料气孔型二维光子晶体的光子带隙图,发现锗二维光子晶体的禁带比硅大得多,两种材料的反应离子刻蚀(RIE)实验也表明相同条件下锗的刻蚀速率比硅大,说明锗是一种性质比较好的红外光子晶体材料.但由于受其透过波长和其他一些因素的限制,在光子晶体应用中锗并不能代替硅.

关键词： 二维光子晶体 光子带隙 平面波展开法 反应离子刻蚀 红外光子晶体 硅 锗

作者: 张磊 张晓玉 姚汉民 杜春雷 张福甲

作者单位: 中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室,成都,610209;兰州大学微电子所,兰州,730000 中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室,成都,610209 兰州大学微电子所,兰州,730000

会议类型: 国内会议

会议名称: 2003年十一省(市)光学学术会议

会议地点: 湖北神农架

会议语种:中文

页码: 30-33

在线出版日期: 2003-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）