应用田口式实验计画法研究低压ZnO Varistor
本文利用田口式实验计画法,研究了配方组成参数对低压氧化锌变阻器的影响,找出了最佳化特性组件配方为A2B3C3D1E3F2G1H2,并经确确认实验证实该配方的特性良好,组件崩溃电场约22V/mm,非线性指数达30以上,抑制电压与崩溃电压比值约1.7,而10Φ组件经1000A雷击波后的位移量小于1%。
变阻器 氧化锌 电阻设计
林居南 吕建勋
舜全电子股份有限公司
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2004-10-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)