芯片大小和电极位置对GaN基LED特性的影响

摘要：

本文用同种GaN基LED外延片材料制作了不同尺寸大小和不同电极位置的芯片,测试比较了它们的I-V特性和P-I特性。结果表明：GaN基LED芯片在20mA以下的I-V特性和P-I特性与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20mA下的光输出功率高,正向压降也高。

关键词： 照明材料 光源设计 发光二极管 光输出

作者: 管志斌 江风益 王立

作者单位: 联创光电分公司 南昌大学材料科学研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 2004全国半导体照明技术与应用研讨会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 54-57

在线出版日期: 2004-04-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）