新型无机晶体CeF3对脉冲DT中子的相对灵敏度
本工作在脉冲DT中子源场中,对国内近年新研制的CeF3闪烁体相对中子灵敏度进行了测量,测量结果表明:按脉冲DT中子引起的探测器输出电荷情况考虑,CeF3探测器的灵敏度比同体积的ST401低一个多量级;按脉冲DT中子引起的探测器脉冲电流输出峰值幅度考虑,脉冲DT中子引起ST401探测器电流峰值输出是CeF3探测器的30多倍.
CeF3 无机闪烁体 辐射探测 DT中子源 中子灵敏度 脉冲电流
胡孟春 叶文英 周殿忠 杨洪琼 王振通 张建华 胡青元 杨高照
中国工程物理研究院,核物理与化学研究所,四川绵阳,621900 中国工程物理研究院,电子工程研究所,四川绵阳,621900
国内会议
吉林延吉
中文
308-311
2004-08-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)