会议专题

新型无机晶体CeF3对脉冲DT中子的相对灵敏度

本工作在脉冲DT中子源场中,对国内近年新研制的CeF3闪烁体相对中子灵敏度进行了测量,测量结果表明:按脉冲DT中子引起的探测器输出电荷情况考虑,CeF3探测器的灵敏度比同体积的ST401低一个多量级;按脉冲DT中子引起的探测器脉冲电流输出峰值幅度考虑,脉冲DT中子引起ST401探测器电流峰值输出是CeF3探测器的30多倍.

CeF3 无机闪烁体 辐射探测 DT中子源 中子灵敏度 脉冲电流

胡孟春 叶文英 周殿忠 杨洪琼 王振通 张建华 胡青元 杨高照

中国工程物理研究院,核物理与化学研究所,四川绵阳,621900 中国工程物理研究院,电子工程研究所,四川绵阳,621900

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第九届高功率粒子束学术交流会

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2004-08-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)