现场测量薄膜残余张应力的T-型结构

摘要：

由于T-型结构对残余张应力敏感,所以可用于现场残余张应力的测量.在考虑樑中残余张应力情况下,给出了关于残余张应力和杨氏模量比值的理论计算公式的推导过程,用LPCVD技术制作了几种不同大小的T-型梁结构,并用两种公式计算了残余张应力与杨氏模量比值,两种公式的计算结果相差9.65％.

关键词： 薄膜结构 残余张应力 张应力测量 T-型结构 杨氏模量

作者: 徐方迁 徐联 何世堂

作者单位: 中国科学院声学研究所,北京,100080

会议类型: 国内会议

会议名称: 2003第三届精密工程学术研讨会

会议地点: 哈尔滨

会议语种:中文

页码: 38-41

在线出版日期: 2003-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）