一种3um P阱CMOS兼容纵向PNP晶体管β的研究

摘要：

在3umP阱CMOS兼容纵向PNP管工艺研制过程中,在众多工艺参数中发现纵向PNP晶体管电流放大系数β相关性最强的是作为纵向PNP管集电极的P阱注入剂量,在允许的P阱注入剂量变化范围中与纵向PNP晶体管电流放大系数有正相关的特点.

关键词： 纵向PNP晶体管 P阱CMOS工艺 电流放大系数 集成电路

作者: 谭开洲 司琴 李儒章 严顺炳

作者单位: 信息产业部电子24所军用模拟集成电路重点实验室,重庆南坪花园路14号,400060

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第八届青年学术年会暨中国电子学会青年工作委员会成立十周年学术研讨会

会议地点: 合肥

会议语种:中文

页码: 132-136

在线出版日期: 2002-08-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）