GaAs基MM-HEMT和InP基LM-HEMTMBE生长

摘要：

本文采用MBE生长技术,比较了在InP衬底上生长晶格匹配的LM-HEMT与在GaAs衬底上生长大失配的MM-HEMT的材料的性能.结果发现,二者的电子迁移率与电子浓度都非常接近,这说明我们采用阶梯式变组分的方法生长MM-HEMT的buffer缓冲层是成功的.

关键词： MBE HEMT 半导体材料 阶梯式变组分法 电子迁移率

作者: 崔利杰 曾一平 王保强 朱战平 李灵霄 林兰英

作者单位: 中国科学院半导体所新材料部,北京912信箱,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第八届青年学术年会暨中国电子学会青年工作委员会成立十周年学术研讨会

会议地点: 合肥

会议语种:中文

页码: 92-94

在线出版日期: 2002-08-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）