多晶硅/氧化硅界面的二次离子质谱分析

摘要：

本文利用二次离子质谱仪对多晶硅/氧化硅界面进行分析,发现多晶硅/氧化硅界面不是突变的,而存在着一个过渡区;根据多晶硅薄膜的成核理论,分析该过渡区形成的物理起源和机理,并利用”氧化层电导”模型,定量分析过渡区对器件栅氧化层电导的影响.

关键词： 多晶硅 氧化硅 二次离子质谱 栅氧化层电导 硅栅自对准工艺 界面物理

作者: 赵杰

作者单位: 深圳职业技术学院,518055

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第八届青年学术年会暨中国电子学会青年工作委员会成立十周年学术研讨会

会议地点: 合肥

会议语种:中文

页码: 152-157

在线出版日期: 2002-08-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）