生产化的集成SiGe HBT

摘要：

本文给出了两种典型的、目前已成熟应用于工业化生产的集成SiGeHBT结构,讨论了几种适合于生产化的较成熟的工艺技术,比较了这两种集成SiGeHBT结构外延技术.非选择性外延、传统LOCOS结构、与Si兼容的工艺技术应更具有市场前途.

关键词： 模拟集成电路 外延生长 SiGeHBT 双极技术 表面处理 掺杂技术

作者: 刘嵘侃 张静 徐婉静 张正番

作者单位: 模拟集成电路国家重点实验室,重庆南坪花园路14#,重庆,400060

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第八届青年学术年会暨中国电子学会青年工作委员会成立十周年学术研讨会

会议地点: 合肥

会议语种:中文

页码: 121-125

在线出版日期: 2002-08-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）